參數(shù)資料
型號: IXTM11N80
廠商: IXYS CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: MegaMOSFET
中文描述: 11 A, 800 V, 0.95 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
文件頁數(shù): 3/4頁
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代理商: IXTM11N80
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara,CA 95054
Tel: 408-982-0700 Fax: 408-496-0670
IXYS Semiconductor
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim, Germany
Tel: +49-6206-5030 Fax: +49-6206-503629
I
XYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTH 11N80
IXTM 11N80
IXTH 13N80
IXTM 13N80
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
GS(th)
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- Amperes
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
R
D
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
1.25
1.30
1.35
1.40
V
GS
= 10V
T
J
= 25°C
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
T
J
= 25°C
V
DS
= 10V
V
DS
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTM13N80 MegaMOSFET
IXTH13N110 MEGA MOS FET
IXTH11P50 Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH12N120 Power MOSFET, Avalanche Rated High Voltage
IXTH12N50A Standard Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTM11N90 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3
IXTM11N95 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3
IXTM11P15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3
IXTM11P20 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3
IXTM11P45 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3