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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXTM20N60 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | MegaMOS FET |
| 中文描述： | 20 A, 600 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
| 封裝： | TO-204AE, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 105K |
| 代理商： | IXTM20N60 |
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXTH 20N60
IXTM 20N60
V
DS
- Volts
1
10
100
I
D
0.1
1
10
100
Gate Charge - nCoulombs
0
20
40
60
80
100
120
140
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- Volts
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
CE
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
600
D=0.5
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 300V
I
D
= 20A
I
G
= 10mA
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
Limited by R
DS(on)
Single Pulse
f = 1 MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
D=0.2
D=0.01
D=0.02
D=0.05
D=0.1
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Capacitance Curves
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH21N50 | MegaMOSFET |
| IXTM21N50 | MegaMOSFET |
| IXTM24N50 | MegaMOSFET |
| IXTH24P20 | Standard Power MOSFET |
| IXTH24N50 | MegaMOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTM20P25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-3 |
| IXTM21N45 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-3 |
| IXTM21N50 | 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTM21N55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-3 |
| IXTM21N60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-3 |
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