| 型號： | IXTP08N100D2 |
| 廠商： | IXYS |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | TO-220, TO-251 |
| 標準包裝： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 耗盡模式 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 800mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 歐姆 @ 400mA，0V |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 14.6nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 325pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-220-3 |
| 供應商設備封裝： | TO-220 |
| 包裝： | 管件 |