參數(shù)資料
型號: IXTP08N50D2
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
產(chǎn)品目錄繪圖: TO-220, TO-251
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 耗盡模式
漏極至源極電壓(Vdss): 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 800mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.6 歐姆 @ 400mA,0V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12.7nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 312pF @ 25V
功率 - 最大: 60W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220
包裝: 管件