參數(shù)資料
型號： IXTT8P50
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Standard Power MOSFET - P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
中文描述： 8 A, 500 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： IXTT8P50
IXTH 11P50
IXTT 11P50
Fig. 7. Transconductance
0
5
10
15
20
25
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
I
D
- Amperes
G
f
T
J
= 25
°
C
T
J
= -40
°
C
T
J
= 125
°
C
Fig. 8. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
0
10
20
30
40
50
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
SD
- Volts
I
S
T
J
=125
°
C
T
J
=25
°
C
Fig. 9. Gate Charge
-10
-8
-6
-4
-2
0
0
25
50
75
100
125
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
DS
= -250V
I
D
= -5.5A
I
G
= -1mA
Fig. 10. Capacitance
100
1000
10000
-40
-30
-20
-10
0
V
DS
- Volts
C
Ciss
Coss
Crss
f=1Mhz
Fig. 14. Maximum Transient Thermal Resistance
0.01
0.1
1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTU01N100 High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
IXTY01N100 High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
IXTU01N80 High Voltage MOSFET
IXTY01N80 High Voltage MOSFET
IXTY02N50D High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTT90P10P 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -100V 0.250 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTT96N15P 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTT96N20P 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTU01N100 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTU01N100D 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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