參數(shù)資料
型號(hào)： IXTU02N50D
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
中文描述： 0.2 A, 500 V, 30 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
封裝： TO-251AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 100K
代理商： IXTU02N50D
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
DSX
V
DGX
V
GS
V
GSM
I
DSS
I
DM
P
D
T
J
= 25°C to 150°C
T
J
= 25°C to 150°C
500
V
500
V
Continuous
± 20
V
Transient
± 30
V
T
C
= 25°C; T
J
= 25°C to 150°C
T
C
= 25°C, pulse width limited by T
J
200
mA
800
mA
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
25
1.1
W
W
T
J
T
JM
T
stg
T
L
T
ISOL
M
d
Weight
-55 ... +150
°C
150
°C
-55 ... +150
°C
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
300
°C
Plastic case for 10 s (IXTU)
300
°C
Mounting torque
TO-220
1.3 / 10
Nm/lb.
TO-220
TO-251
TO-252
4
g
g
g
0.8
0.8
High Voltage MOSFET
2006 IXYS All rights reserved
N-Channel, Depletion Mode
IXTP 02N50D
IXTU 02N50D
IXTY 02N50D
V
DSS
I
D25
R
DS(on)
= 30
= 500
= 200 mA
V
Ω
Features
z
Normally ON mode
z
Low R
DS (on)
HDMOS
TM
process
z
Rugged polysilicon gate cell structure
z
Fast switching speed
Applications
z
Level shifting
z
Triggers
z
Solid state relays
z
Current regulators
98861A (01/06)
Symbol
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
V
DSX
V
GS(off)
V
GS
= -10 V, I
D
= 25
μ
A
V
DS
= 25V, I
D
= 25
μ
A
500
V
-2.5
-5
V
I
GSS
V
GS
=
±
20 V
DC
, V
DS
= 0
±
100
nA
I
DSX(off)
V
DS
= V
DSS
,
V
GS
= -10 V
10
μ
A
μ
A
T
J
= 125
°
C
250
R
DS(on)
V
GS
= 0 V, I
D
= 50 mA
Note 1
20
30
Ω
I
D(on)
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25V
Note 1
250
mA
Preliminary Data Sheet
GDS
TO-220 (IXTP)
Pins:1 - Gate
3 - Source TAB - Drain
2 - Drain
D (TAB)
TO-251 (IXTU)
D
S
G
D (TAB)
TO-252 (IXTY)
G
S
D (TAB)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTY5N50P PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
IXTP5N50P PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
IXTA5N50P PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
IXUC100N055 Trench Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓55V,導(dǎo)通電阻7.7mΩ的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET)
IXUC120N10 Trench Power MOSFET ISOPLUS220
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTU05N100 功能描述:MOSFET 0.5 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTU05N120 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IXTU06N120P 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IXTU08N100P 功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTU12N06T 功能描述:MOSFET 12 Amps 6V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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