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參數(shù)資料
| 型號： | J111A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30MA I(DSS) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|場效應(yīng)| N溝道| 30mA的我（直）|到92 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | J111A |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| J112A | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 15MA I(DSS) | TO-226AA |
| J111 | N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| J112 | N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| J113 | N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| J112 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| J111-E3 | 功能描述:JFET 55V 20mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| J111RL1 | 功能描述:JFET 35V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| J111RL1G | 功能描述:JFET 35V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| J111RLRA | 功能描述:JFET 35V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| J111RLRAG | 功能描述:JFET 35V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
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