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參數(shù)資料
| 型號： | J211 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N-channel field-effect transistors |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | J211 |
1997 Dec 01
3
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel field-effect transistors
J210; J211; J212
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, maximum lead length 4 mm; mounting pad for the drain lead 10 mm
2
.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, maximum lead length 4 mm; mounting pad for the drain lead 10 mm
2
.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
±
25
25
25
10
400
150
150
UNIT
V
DS
V
GSO
V
DGO
I
G
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
gate-source voltage
drain-gate voltage
forward gate current (DC)
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
65
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
open drain
open source
T
amb
≤
50
°
C; note 1; see Fig.13
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient; note 1
250
K/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| J210 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| J210 | N-Channel RF Amplifier |
| J211 | N-Channel RF Amplifier |
| J210 | N-Channel JFET |
| J211 | N-Channel JFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| J211"D74Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL JFET -25V TO-92 |
| J211 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
| J211_D27Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| J211_D74Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| J211_Q | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
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