參數(shù)資料
型號(hào)： JAN2N2079A
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-36
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 65V的五（巴西）總裁|第15A一（c）|至36
文件頁數(shù)： 17/19頁
文件大?。?/td> 103K
代理商： JAN2N2079A
MIL-PRF-19500/512E
7
B
E
Die size:
.030 x .030 inch (0.762 x 0.762 mm).
Die thickness:
.008 ±.0016 inch (0.2032 ±0.04064 mm).
Base pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Emitter pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Back metal:
Gold, 6500 ± 1950 Ang.
Top metal:
Aluminum, 22500 ±2500 Ang.
Back side:
Collector.
Glassivation:
SiO2, 7500 ± 1500 Ang.
FIGURE 5. JANHC and JANKC (A-version) die dimensions.
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PDF描述
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JAN2N2221AUA TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SMT
JAN2N2221AUB TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | CHIP
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JAN2N2218AL 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 50V 0.8A 3PIN TO-5 - Bulk
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