- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄353837 > JAN2N2559 TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | IST-3RT-1/2 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | JAN2N2559 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | IST-3RT-1/2 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 60V的五（巴西）總裁| 3A條一（c）|北京時間- 3RT - 1 / 2 |
| 文件頁數(shù)： | 17/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | JAN2N2559 |
MIL-PRF-19500/512E
7
B
E
Die size:
.030 x .030 inch (0.762 x 0.762 mm).
Die thickness:
.008 ±.0016 inch (0.2032 ±0.04064 mm).
Base pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Emitter pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Back metal:
Gold, 6500 ± 1950 Ang.
Top metal:
Aluminum, 22500 ±2500 Ang.
Back side:
Collector.
Glassivation:
SiO2, 7500 ± 1500 Ang.
FIGURE 5. JANHC and JANKC (A-version) die dimensions.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JAN2N2604 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-46 |
| JAN2N2605 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-46 |
| JAN2N2812 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | STR-1/4 |
| JAN2N2814 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | STR-1/4 |
| JAN2N2857 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 40MA I(C) | TO-72 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JAN2N2604 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 60V 0.03A 3PIN TO-46 - Bulk |
| JAN2N2605 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 0.03A 3-Pin TO-46 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:PNP TRANSISTOR (PNP) - Bulk |
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| JAN2N2609 | 制造商:Solitron 功能描述:JAN QPL LOW POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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