參數(shù)資料
型號(hào)： JAN2N2812
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | STR-1/4
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 60V的五（巴西）總裁| 10A條一（c）|個(gè)STR - 1 / 4
文件頁(yè)數(shù)： 17/21頁(yè)
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代理商： JAN2N2812
MIL-PRF-19500/368F
5
Ltr
Inches
Millimeters
Min
Max
Min
Max
A
.038
.044
0.97
1.12
C
.038
.044
0.97
1.12
NOTES:
1. Dimensions are in inches.
2. Metric equivalents are given for general information only.
3. The physical characteristics of the die thickness are, .006 inch (0.15 mm) to .012 inch (0.30 mm).
Metallization, top: Al = 17,500 minimum, 20,000 nominal.
Back: Au = 2,500 minimum, 3,000 nominal.
Bonding pad: B = .004 inch (0.10 mm) by .005 inch (0.13 mm).
E = .004 inch (0.10 mm) by .005 inch (0.13 mm).
4. Backside is collector.
5. Requirements in accordance with MIL-PRF-19500 are performed in a TO-5 package.
* FIGURE 2. Physical dimensions JANHCA and JANKCA (die) A versions.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JAN2N2814 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | STR-1/4
JAN2N2857 TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 40MA I(C) | TO-72
JAN2N2857UB TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 40MA I(C) | LLCC
JAN2N2919L TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 60V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-99
JAN2N2919U BJT
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參數(shù)描述
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JAN2N2857UB 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR - Waffle Pack
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