型號: | JAN2N4150S |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 80V的五(巴西)總裁| 5A條一(c)| TO - 39封裝 |
文件頁數: | 10/21頁 |
文件大?。?/td> | 137K |
代理商: | JAN2N4150S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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JAN2N4234 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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JAN2N4235 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin TO-39 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 1A 3PIN TO-39 - Bulk |
JAN2N4236 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 1A 3PIN TO-39 - Bulk |
JAN2N4237 | 功能描述:TRANS NPN 40V 1A TO39 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/581 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 250mA,1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39(TO-205AD) 標準包裝:1 |