參數(shù)資料
型號(hào)： JAN2N4234
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 40V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至5
文件頁(yè)數(shù)： 7/19頁(yè)
文件大小： 103K
代理商： JAN2N4234
MIL-PRF-19500/512E
15
TABLE I. Group A inspection - Continued.
Inspection 1/
MIL-STD-750
Symbol
Limits
Unit
Method
Conditions
Min
Max
Subgroup 4
Magnitude of common
emitter small-signal
short-circuit forward-
current transfer ratio
3306
VCE = 10 V dc; IC = 50 mA dc;
f = 100 MHz
| hfe |
1.5
6.0
Open circuit output
capacitance
3236
VCB = 10 V dc; IE = 0
100 kHz
≤ f ≤ 1 MHz
Cobo
20
pF
Input capacitance
(output open-circuited)
3240
VEB = 0.5 V dc; IC = 0;
100 kHz
≤ f ≤ 1 MHz
Cibo
80
pF
Pulse response
On-time
3251
Test condition A; IC = 500 mA dc;
IB1 = 50 mA dc; (see figure 6)
td
15
ns
Rise time
3251
Test condition A; IC = 500 mA dc;
IB1 = 50 mA dc; (see figure 6)
tr
25
ns
Storage time
3251
Test condition A; IC = 500 mA dc;
IB1 = 50 mA dc; (see figure 7)
ts
175
ns
Fall time
3251
Test condition A; IC = 500 mA dc;
IB1 = 50 mA dc; (see figure 7)
tf
35
Ns
Subgroups 5, 6, and 7
Not applicable
1/ For sampling plan see MIL-PRF-19500.
2/ For resubmission of failed subgroup A1, double the sample size of the failed test or sequence of tests. A failure
in group A, subgroup 1 shall not require retest of the entire subgroup. Only the failed test shall be rerun upon
submission.
3/ Separate samples may be used.
4/ Not required for JANS devices.
5/ Not required for laser marked devices.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JAN2N4235 TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5
JAN2N4236 TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5
JAN2N425 TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-5
JAN2N426 TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-5
JAN2N4261 TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-72
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參數(shù)描述
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JAN2N4237 功能描述:TRANS NPN 40V 1A TO39 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/581 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 250mA，1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39（TO-205AD） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
JAN2N4238 制造商: 功能描述: 制造商:Texas Instruments 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
JAN2N4239 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO39 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/581 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 250mA，1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39（TO-205AD） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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