參數(shù)資料
型號(hào)： JAN2N6211
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 225V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-66
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 225V五（巴西）總裁|甲一（c）|至66
文件頁(yè)數(shù)： 8/19頁(yè)
文件大?。?/td> 103K
代理商： JAN2N6211
MIL-PRF-19500/512E
16
NOTES:
1.
The rise time (tr) of the applied pulse shall be ≤ 2.0 ns, duty cycle ≤ 2 percent, and the generator source Z
shall be 50
.
2.
Sampling oscilloscope: ZIN ≥ 100 k; Cin ≤ 12 pF, rise time(tr) ≤ 5 ns.
FIGURE 6. Delay and rise time, test circuit.
NOTES:
1.
The rise time (tr) of the applied pulse shall be ≤ 20 ns, duty cycle ≤ 2 percent, and the generator source
impedance shall be 50
.
2.
Sampling oscilloscope: ZIN ≥ 100 k; Cin ≤ 12 pF, rise time(tr) ≤ 5 ns.
FIGURE 7. Storage and fall time, test circuit.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JAN2N6212 TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-66
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JAN2N6287 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3
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