參數(shù)資料
型號(hào): JAN2N6308
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-3
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 350V五(巴西)總裁| 8A條一(c)|至3
文件頁(yè)數(shù): 17/19頁(yè)
文件大小: 103K
代理商: JAN2N6308
MIL-PRF-19500/512E
7
B
E
Die size:
.030 x .030 inch (0.762 x 0.762 mm).
Die thickness:
.008 ±.0016 inch (0.2032 ±0.04064 mm).
Base pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Emitter pad:
.005 inch diameter (0.127 mm).
Back metal:
Gold, 6500 ± 1950 Ang.
Top metal:
Aluminum, 22500 ±2500 Ang.
Back side:
Collector.
Glassivation:
SiO2, 7500 ± 1500 Ang.
FIGURE 5. JANHC and JANKC (A-version) die dimensions.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JAN2N6338 TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-3
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JAN2N6784 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.25A I(D) | TO-39
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參數(shù)描述
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