參數(shù)資料
型號： JANS2N5667S
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 300V五（巴西）總裁| 5A條一（c）| TO - 39封裝
文件頁數(shù)： 5/19頁
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代理商： JANS2N5667S
MIL-PRF-19500/512E
13
TABLE I. Group A inspection.
Inspection 1/
MIL-STD-750
Symbol
Limits
Unit
Method
Conditions
Min
Max
Subgroup 1 2/
Visual and mechanical
inspection 3/
2071
n = 45 devices, c = 0
Solderability 3/ 4/
2026
n = 15 leads, c = 0
Resistance to solvents
3/ 4/ 5/
1022
n = 15 devices, c = 0
Temp cycling 3/ 4/
1051
Test condition C, 25 cycles. n =
22 devices, c = 0
Heremetic seal 4/
Fine leak
Gross leak
1071
n = 22 devices, c = 0
Electrical
measurements 4/
Group A, subgroup 2
Bond strength 3/ 4/
2037
Precondition TA = + 250°C at t =
24 hours or TA = + 300°C at t = 2
hours n = 11 wires, c = 0
Subgroup 2
Collector to base
cutoff current
3036
Bias condition D; VCB = 80 V dc
pulsed (see 4.5.1)
ICBO1
10
A dc
Emitter to base
cutoff current
3061
Bias condition D; VBE = 5 V dc
IEBO1
10
A dc
Collector - base cutoff
current
3036
Bias condition D; VCB = 60 V dc
ICBO2
10
nA dc
Collector - emitter
cutoff current
3041
Bias condition A; VBE = 2.0 V dc;
VCE = 60 V dc
ICEX1
25
nA dc
Base emitter cutoff
current
3061
Bias condition D; VBE = 3.0 V dc
IEBO2
25
nA dc
Forward-current
transfer ratio
3061
VCE = 5.0 V dc; IC = 100 A dc
hFE1
50
See footnotes at end of table.
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JANS2N6251T1 功能描述:TRANS NPN 350V 10A TO-3 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/510 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.67A，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:6 @ 10A，3V 功率 - 最大值:6W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-254-3，TO-254AA（直引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-254AA 標準包裝:1
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