參數(shù)資料
型號(hào)： JANSR2N7381
英文描述： 200V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-257AA package
中文描述： 200伏100kRad高可靠性單N溝道MOSFET的工貿(mào)硬化在TO - 257AA封裝
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 440K
代理商： JANSR2N7381
www.irf.com
5
Pre-Irradiation
IRHF7130
Post-Irradiation
Fig 6.
Fig 6. Typical On-State Resistance Vs.
NeutronFluenceLevel
Fig 5.
Fig 5. Typical Zero Gate Voltage Drain
Current Vs. Total Dose Exposure
Fig 7.
Fig 7. Typical Transient Response
of Rad Hard HEXFET During 1x1012
Rad (Si)/Sec Exposure
Fig 8b.
Fig 8b. VDSS Stress Equals
80% of BVDSS During Radiation
Fig 8a.
Fig 8a. Gate Stress of
VGSS Equals 12 Volts During
Radiation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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JANSR2N7390U -200V 100kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a 18-pin LCC package
JANSR2N7392 500V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA package
JANSR2N7394 60V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA package
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參數(shù)描述
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