參數(shù)資料
型號： JANTX2N3251A
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18
中文描述： 晶體管|晶體管|進步黨| 60V的五（巴西）總裁| 200mA的一（c）|到18
文件頁數(shù)： 5/21頁
文件大?。?/td> 137K
代理商： JANTX2N3251A
MIL-PRF-19500/368F
13
* TABLE I. Group A inspection.
Inspection 1/
MIL-STD-750
Symbol
Limit
Unit
Conditions
Min
Max
Subgroup 1 2/
Visual and mechanical 3/
examination
2071
n = 45 devices, c = 0
Solderability 3/ 4/
2026
n = 15 leads, c = 0
Resistance to 3/ 4/ 5/
solvent
1022
n = 15 devices, c = 0
Temp cycling 3/ 4/
1051
Test condition C, 25 cycles.
n = 22 devices, c = 0
Heremetic seal 4/
Fine leak
Gross leak
1071
n = 22 devices, c = 0
Electrical measurements 4/
Group A, subgroup 2
Bond strength 3/ 4/
2037
Precondition TA = +250°C at t = 24 hrs
or TA = +300°C at t = 2 hrs,
n = 11 wires, c = 0
Decap internal visual (design
verification) 4/
2075
n = 4 devices, c = 0
Subgroup 2
Emitter to base cutoff current
3061
Bias condition D, VEB = 7 V dc
IEBO1
10
A dc
Collector to emitter cutoff
2N3439, 2N3439L, 2N3439UA
2N3440, 2N3440L, 2N3440UA
3041
Bias condition D
VCE = 300 V dc
VCE = 200 V dc
ICEO
2
A dc
Collector to emitter cutoff
current
2N3439, 2N3439L, 2N3439UA
2N3440, 2N3440L, 2N3440UA
3041
Bias condition A, VBE = -1.5 V dc
VCE = 450 V dc
VCE = 300 V dc
ICEX
5
A dc
Collector to base cutoff
current
2N3439, 2N3439L, 2N3439UA
2N3440, 2N3440L, 2N3440UA
3036
Bias condition D
VCB = 360 V dc
VCB = 250 V dc
ICBO1
2
A dc
See footnotes at end of table.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
JANTX2N3418 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5
JANTX2N3418S TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C)
JANTX2N3419 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5
JANTX2N3419S TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-39
JANTX2N3420 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
JANTX2N3251AUB 功能描述:TRANS PNP 60V 0.2A TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/323 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無引線 供應(yīng)商器件封裝:UB 標準包裝:1
JANTX2N3330 制造商:Motorola Inc 功能描述:
JANTX2N3375 制造商:MOTOROLA 功能描述:DIODE
JANTX2N3418 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 3A 3PIN TO-5 - Bulk
JANTX2N3418S 制造商:Aeroflex / Metelics 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR (NPN) - Bulk
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