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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JANTXV2N3420S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | TO-5 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 60V的五（巴西）總裁|至5 |
| 文件頁數(shù)： | 9/21頁 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | JANTXV2N3420S |
MIL-PRF-19500/368F
17
NOTES:
1.
The rise time (tr) and fall time (tf) of applied pulse shall be ≤ 20 ns, duty cycle ≤ 2 percent,
generator source impedance shall be 50 ohms, pulse width = 20
s.
2.
Output sampling oscilloscope: ZIN ≥ 100 k, CIN ≤ 50 pF, and rise time ≤ 1.0 s.
FIGURE 5. Pulse response test circuit.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| JANTXV2N3421S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | TO-5 |
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| JANTXV2N3439L | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
| JANTXV2N3439UA | BJT |
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參數(shù)描述 |
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| JANTXV2N3439L | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 350V 1A 3-Pin TO-5 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR (NPN) - Bulk |
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