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參數(shù)資料
| 型號： | JANTXV2N930UB |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 12/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | JANTXV2N930UB |
MIL-PRF-19500/368F
2
1.4 Primary electrical characteristics.
hFE2 (1)
hFE1 (1)
|hfe|
Cobo
VBE(sat) (1)
VCE(sat)
VCE = 10 V
dc
IC = 2 mA dc
VCE = 10 V dc
IC = 20 mA dc
VCE = 10 V dc
IC = 10 mA dc
f = 5 MHz
VCB = 10 V dc
IE = 0
100 kHz
≤ f ≤ 1
MHz
IC = 50 mA dc
IB = 4 mA dc
IC = 50 mA dc
IB = 4 mA dc
pF
V dc
Min
30
40
3
Max
160
15
10
1.3
0.5
(1) Pulsed, (see 4.5.1).
2. APPLICABLE DOCUMENTS
2.1 General. The documents listed in this section are specified in sections 3 and 4 of this specification. This
section does not include documents cited in other sections of this specification or recommended for additional
information or as examples. While every effort has been made to ensure the completeness of this list, document
users are cautioned that they must meet all specified requirements documents cited in sections 3 and 4 of this
specification, whether or not they are listed.
2.2 Government documents.
2.2.1 Specifications, standards, and handbooks. The following specifications, standards, and handbooks form a
part of this document to the extent specified herein. Unless otherwise specified, the issues of these documents are
those listed in the issue of the Department of Defense Index of Specifications and Standards (DoDISS) and
supplement thereto, cited in the solicitation (see 6.2).
SPECIFICATION
DEPARTMENT OF DEFENSE
MIL-PRF-19500 - Semiconductor Devices, General Specification for.
STANDARD
DEPARTMENT OF DEFENSE
MIL-STD-750 - Test Methods for Semiconductor Devices.
HANDBOOK
DEPARTMENT OF DEFENSE
MIL-HDBK-6100 - List of Case Outlines and Dimensions for Discrete Semiconductor Devices.
(Unless otherwise indicated, copies of the above specifications, standards, and handbooks are available from the
Document Automation and Production Services (DAPS), Building 4D (DPM-DODSSP), 700 Robbins Avenue,
Philadelphia, PA 19111-5094.)
2.3 Order of precedence. In the event of a conflict between the text of this document and the references cited
herein, the text of this document takes precedence. Nothing in this document, however, supersedes applicable laws
and regulations unless a specific exemption has been obtained.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANTXVH2N7261 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF |
| JANTXVH2N7262 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-205AF |
| JANTXVH2N7268 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 34A I(D) | TO-254AA |
| JANTXVH2N7269 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-254AA |
| JANTXVH2N7270 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JANTXV4N22 | 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 1000VDC 1 Channel TO-78-6 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:1000VDC 電流傳輸比（最小值）:25% @ 10mA 電流傳輸比（最大值）:- 打開 / 關閉時間（典型值）:- 上升/下降時間（典型值）:20μs，20μs（最大） 輸入類型:DC 輸出類型:有基極的晶體管 電壓 - 輸出（最大值）:40V 電流 - 輸出/通道:50mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V（最大） 電流 - DC 正向（If）:40mA Vce 飽和值（最大值）:300mV 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 |
| JANTXV4N22A | 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 1000VDC 1 Channel TO-78-6 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:1000VDC 電流傳輸比（最小值）:25% @ 10mA 電流傳輸比（最大值）:- 打開 / 關閉時間（典型值）:- 上升/下降時間（典型值）:20μs，20μs（最大） 輸入類型:DC 輸出類型:有基極的晶體管 電壓 - 輸出（最大值）:40V 電流 - 輸出/通道:50mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V（最大） 電流 - DC 正向（If）:40mA Vce 飽和值（最大值）:300mV 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 |
| JANTXV4N23 | 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 1000VDC 1 Channel TO-78-6 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:1000VDC 電流傳輸比（最小值）:60% @ 10mA 電流傳輸比（最大值）:- 打開 / 關閉時間（典型值）:- 上升/下降時間（典型值）:20μs，20μs（最大） 輸入類型:DC 輸出類型:有基極的晶體管 電壓 - 輸出（最大值）:40V 電流 - 輸出/通道:50mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V（最大） 電流 - DC 正向（If）:40mA Vce 飽和值（最大值）:300mV 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 |
| JANTXV4N23A | 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 1000VDC 1 Channel TO-78-6 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:1000VDC 電流傳輸比（最小值）:60% @ 10mA 電流傳輸比（最大值）:- 打開 / 關閉時間（典型值）:- 上升/下降時間（典型值）:20μs，20μs（最大） 輸入類型:DC 輸出類型:有基極的晶體管 電壓 - 輸出（最大值）:40V 電流 - 輸出/通道:50mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V（最大） 電流 - DC 正向（If）:40mA Vce 飽和值（最大值）:300mV 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 |
| JANTXV4N24 | 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 1000VDC 1 Channel TO-78-6 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 通道數(shù):1 電壓 - 隔離:1000VDC 電流傳輸比（最小值）:100% @ 10mA 電流傳輸比（最大值）:- 打開 / 關閉時間（典型值）:- 上升/下降時間（典型值）:20μs，20μs（最大） 輸入類型:DC 輸出類型:有基極的晶體管 電壓 - 輸出（最大值）:40V 電流 - 輸出/通道:50mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.5V（最大） 電流 - DC 正向（If）:40mA Vce 飽和值（最大值）:300mV 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 |
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