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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4C89083AF-GCF5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 288Mb x18 Network-DRAM2 Specification |
| 中文描述： | 288Mb x18網(wǎng)絡(luò)DRAM2規(guī)范 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 41/55頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1470K |
| 代理商： | K4C89083AF-GCF5 |
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K4C89183AF
0
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1
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13
14
15
REV. 0.7 Jan. 2005
Multiple Bank Read-Write Timing (BL=4)
Command
Address
WRA
LAL
LA
UA
Bank
"a"
Bank Add.
RDA
LAL
DESL
WRA
LAL
RDA
LAL
DESL
WRA
LAL
RDA
LAL
LA
UA
LA
UA
LA
UA
UA
UA
LA
LA
Bank
"b"
Bank
"c"
Bank
"d"
l
RBD
=2cycles
Bank
"a"
Bank
"b"
l
RC
(Bank"a")
l
RC
(Bank"a")
Unidirectional DS/Free Running QS mode
l
WRD
=1cycle
l
RWD
=3cycles
l
WRD
=1cycle
l
RWD
=3cycles
l
WRD
=1cycle
WL=3
CL=4
Da0 Da1
Qb0Qb1
Hi-Z
Da2 Da3
Qb2 Qb3
Da0 Da1
Qb0Qb1
Da2 Da3
Qb2 Qb3
Da0 Da1
Qb0Qb1
Hi-Z
Da2 Da3
Qb2Qb3
Da0 Da1
Qb0 Qb1
Da2 Da3
Qb2 Qb3
Da0 Da1
Qb0Qb1
Hi-Z
Da2 Da3
Qb2Qb3
Da0 Da1
Qb0 Qb1
Da2 Da3
WL=4
CL=5
WL=5
CL=6
Note :I
RC
to the same bank must be satisfied.
CLK
CLK
CL =4
(OutQS
(InDS
(OutDQ
CL =5
(OutQS
(InDS
(OutDQ
CL =6
(OutQS
(InDS
(OutDQ
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