- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373061 > K4E640412E-JP45 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4E640412E-JP45 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 16米x 4位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/21頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | K4E640412E-JP45 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)當(dāng)前第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)
CMOS DRAM
K4E660412E,K4E640412E
Industrial Temperature
HIDDEN REFRESH CYCLE ( READ )
t
OEZ
DATA-OUT
t
RP
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
ROW
ADDRESS
t
RAS
t
RC
t
CHR
t
RCD
t
RSH
t
RAD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CRP
Don
′
t care
Undefined
V
OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ3(7)
t
WRH
COLUMN
ADDRESS
t
OEA
t
RAS
t
RC
t
CAH
t
RCS
t
AA
t
RAC
t
CLZ
t
CAC
t
CEZ
OPEN
t
RP
t
WEZ
t
REZ
t
OLZ
* In Hidden refresh cycle of 64Mb A-dile & B-die, when CAS signal transits from Low to High, the valid data may be cut off.
t
RAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E640412E-JP50 | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412E-JP60 | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412E-TP50 | Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 33uF; Voltage: 100V; Case Size: 10x25 mm; Packaging: Bulk |
| K4E640412E-TP60 | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660412E-TI60 | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E640412E-JP50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412E-JP60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412E-TI45 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412E-TI50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412E-TI60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。