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參數(shù)資料
| 型號： | K4F170812D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| 中文描述： | 200萬× 8位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的快速頁面模式 |
| 文件頁數(shù)： | 2/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 226K |
| 代理商： | K4F170812D |
K4F170811D, K4F160811D
K4F170812D, K4F160812D
CMOS DRAM
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
W
RAS
*A11(N.C)
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
V
SS
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
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18
17
16
15
PIN CONFIGURATION
(Top Views)
Pin Name
Pin Function
A0 - A11
Address Inputs (4K Product)
A0 - A10
Address Inputs (2K Product)
DQ0 - 7
Data In/Out
V
SS
Ground
RAS
Row Address Strobe
CAS
Column Address Strobe
W
Read/Write Input
OE
Data Output Enable
V
CC
Power(+5V)
Power(+3.3V)
N.C
No Connection (2K Ref. product)
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
W
RAS
*A11(N.C)
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
V
SS
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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*A11 is N.C for K160811(2)D(5V/3.3V,
2K Ref.
product)
B : 300mil 28 SOJ
F : 300mil 28 TSOP II
K4F17(6)0811(2)D-B
K4F17(6)0811(2)D-F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4F640412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F660412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F641612B | AC 6C 6#16S SKT PLUG |
| K4F641612B-L | AC 7C 7#16S SKT PLUG |
| K4F641612B-TC | AC 7C 7#16S SKT PLUG |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4F171611D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F171612D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| K4F171612D-TL60000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:1M X 16bit CMOS dynamic RAM with fast page mode |
| K4F-24V-9 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
| K4F-48V-9 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
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