| 型號(hào): | K4H560838D-GLA2 |
| 廠商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述: | DIODE ZENER SINGLE 500mW 33Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 25 SOD-123 3K/REEL |
| 中文描述: | 的DDR 256Mb的 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/19頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商: | K4H560838D-GLA2 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H560838D-GLB0 | DIODE ZENER SINGLE 500mW 36Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 27.3 SOD-123 3K/REEL |
| K4H560838D-GLB3 | DIODE ZENER SINGLE 500mW 39Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 29.6 SOD-123 3K/REEL |
| K4H560838E-GCA2 | DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 19.7Vz 10mA-Izt 0.0251 0.05uA-Ir 15 SOT-363 3K/REEL |
| K4H560838E-GCB0 | DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 22.08Vz 5mA-Izt 0.02514 0.05uA-Ir 17 SOT-363 3K/REEL |
| K4H560838E-GCB3 | DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 23.72Vz 5mA-Izt 0.02509 0.05uA-Ir 19 SOT-363 3K/REEL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H560838D-GLB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR 256Mb |
| K4H560838D-GLB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR 256Mb |
| K4H560838D-NC/LA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb sTSOPII |
| K4H560838D-NC/LA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb sTSOPII |
| K4H560838D-NC/LB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb sTSOPII |