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參數(shù)資料
| 型號： | K4H560838E-GCCC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 29.77Vz 5mA-Izt 0.02503 0.05uA-Ir 23 SOT-363 3K/REEL |
| 中文描述： | 256Mb的電子芯片的DDR 400內(nèi)存規(guī)格60Ball FBGA封裝（x4/x8） |
| 文件頁數(shù)： | 6/19頁 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | K4H560838E-GCCC |
DDR SDRAM
DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)
Rev. 1.1 August. 2003
Bank Select
Timing Register
A
R
R
R
C
Data Input Register
Serial to parallel
4Mx16 / 2Mx32
4Mx16 / 2Mx32
4Mx16 / 2Mx32
4Mx16 / 2Mx32
S
2
O
I
Column Decoder
Latency & Burst Length
Programming Register
D
S
G
CK, CK
ADD
LCKE
CK, CK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
LCAS
LRAS
LCBR
LWE
LWCBR
L
L
CK, CK
32
32
16
16
x16
DQi
Data Strobe
Block Diagram (8Mb x 8 / 4Mb x 16 I/O x 4 Banks)
(L)WE
L(U)DM
L(U)DM
CK, CK
DM Input Register
L(U)DM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H560838E-GLA2 | DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 32.97Vz 5mA-Izt 0.02503 0.05uA-Ir 27 SOT-363 3K/REEL |
| K4H560838E-NCA2 | 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II) |
| K4J55323QF-GC | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QF-GC14 | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QF-GC15 | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H560838E-GLA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |
| K4H560838E-GLB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |
| K4H560838E-GLB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |
| K4H560838E-NC/LA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II) |
| K4H560838E-NC/LB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II) |
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