型號: | K4N56163QF |
廠商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
英文描述: | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
中文描述: | 片256Mbit GDDR2 SDRAM的 |
文件頁數(shù): | 1/73頁 |
文件大小: | 1262K |
代理商: | K4N56163QF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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K4N56163QF-GC | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
K4N56163QF-GC25 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
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K4PE68A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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K4N56163QF-GC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
K4N56163QF-GC30 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
K4N56163QF-GC37 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
K4N56163QG-ZC2A | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |