- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄373065 > K4R271669D (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 128Mbit RDRAM(D-die) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4R271669D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128Mbit RDRAM(D-die) |
| 中文描述： | 128Mbit的RDRAM（深模） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/20頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 310K |
| 代理商： | K4R271669D |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)當(dāng)前第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)
Page 2
Direct RDRAM
Preliminary
Version 1.0 Dec. 2001
K4R271669D
Pinouts and Definitions
The following table shows the pin assignments of the center-
bonded fanout CSP RDRAM package.
Table 1: Center-Bonded Fanout CSP Device (Top View)
7
DQA7
DQA4
CFM
CFMN
RQ5
RQ3
DQB0
DQB4
DQB7
6
GND
DQA5
DQA2
VDDA
RQ6
RQ2
DQB1
DQB5
GND
5
CMD
VDD
GND
GNDA
VDD
GND
VDD
VDD
SI00
4
3
SCK
GND
VDD
GND
GND
VDD
GND
GND
SIO1
2
VCMOS
DQA6
DQA1
VREF
RQ7
RQ1
DQB2
DQB6
VCMOS
1
NC
DQA3
DQA0
CTMN
CTM
RQ4
RQ0
DQB3
NC
Top View
A
B
C
D
E
F
G
H
J
Chip
Top View
b. Top marking example
For consumer package, pin #1(ROW 1, COL A) is
located at the A1 position on the top side and the A1
position is marked by the marker
“
“
.
K4R271669D-T
C
xx
SAMSUNG 001
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4R271669D-T | 128Mbit RDRAM(D-die) |
| K4R271669D-TCS8 | 128Mbit RDRAM(D-die) |
| K4R271669F | 128Mbit RDRAM(F-die) |
| K4S160822D | 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| K4S161622D | 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4R271669D-T | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit RDRAM(D-die) |
| K4R271669D-TCS8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit RDRAM(D-die) |
| K4R271669E | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit RDRAM(E-die) |
| K4R271669F | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit RDRAM(F-die) |
| K4R271669F-RCS8000 | 制造商:Samsung 功能描述:128 DIRECT RDRAM X16 WBGA - Trays |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。