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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4R441869A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| 中文描述： | 256 × 16/18位× 2 * 16屬銀行直接RDRAMTM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/64頁(yè) |
| 文件大小： | 4052K |
| 代理商： | K4R441869A |
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K4R271669A/K4R441869A
Direct RDRAM
Rev. 1.02 Jan. 2000
Revision History
Version 1.0 (July 1999) -
Preliminary
- Based on the Rambus Datasheet 1.0 ver.
Version 1.01 (October 1999)
On page 1
- Delete the part numbers of low power
On page 32
- Add the data of CNFGA Register @ Figure 28
On page 33
- Add the data of CNFGB Register @ Figure 29 and correct the CORG4..0 field of CNFGB register
On page 44
- Add the Tj value from TBD to Max. 100
°
C @ Table 18
On page 46
- Add the
Θ
JC
value from TBD to 0.2
°
C/Watt @ Table 20
On page 55
- Add the current values for 356MHz and 300MHz RDRAM device
Version 1.02 (January 2000)
* Change the part number of RDRAM Component according to New Code System since ’00.Jan.1st
On page 45
- Reduce swing of V
IH,CMOS
& V
IL,CMOS
from
“
0.5V
CMOS
±
0.6V
“
to
“
0.5V
CMOS
±
0.4V
“
- Relax tS1 from 1.0ns to
“
1.25ns
“
( But, Keep tH1 as 1.0ns)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4R441869A-N(M)CG6 | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4R441869A-N(M)CG6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
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