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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K7M163625A-QC(I)65 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| 中文描述： | 512Kx36 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/24頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 279K |
| 代理商： | K7M163625A-QC(I)65 |
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512Kx36 & 1Mx18 Pipelined N
t
RAM
TM
- 16 -
Rev 3.0
Nov. 2003
K7N161801A
K7N163601A
ID REGISTER DEFINITION
Part
Revision Number
(31:28)
Part Configuration
(27:18)
Vendor Definition
(17:12)
Samsung JEDEC Code
(11: 1)
Start Bit(0)
512Kx36
0000
00111 00100
XXXXXX
00001001110
1
1Mx18
0000
01000 00011
XXXXXX
165FBGA BOUNDARY SCAN EXIT ORDER(x18
)
00001001110
1
SCAN REGISTER DEFINITION
Part
Instruction Register
Bypass Register
ID Register
Boundary Scan
512Kx36
3 bits
1 bits
32 bits
75 bits
1Mx18
3 bits
1 bits
32 bits
75 bits
165FBGA BOUNDARY SCAN EXIT ORDER(x36)
1
1R
LBO
CLK
6B
39
2
6N
NC
NC
11B
40
3
4
11P
8P
NC
A
NC
CS2
1A
6A
41
42
5
6
8R
9R
A
A
BWa
BWb
5B
5A
43
44
7
9P
A
BWc
4A
45
8
9
10P
10R
A
A
BWd
CS2
4B
3B
46
47
10
11R
A
CS1
3A
48
11
12
11H
11N
ZZ
DQa
A
A
2A
2B
49
50
13
14
11M
11L
DQa
DQa
NC
DQc
1B
1C
51
52
15
11K
DQa
DQc
1D
53
16
17
11J
10M
DQa
DQa
DQc
DQc
1E
1F
54
55
18
10L
DQa
DQc
1G
56
19
20
10K
10J
DQa
DQa
DQc
DQc
2D
2E
57
58
21
11G
DQb
DQc
2F
59
22
23
11F
11E
DQb
DQb
DQc
DQd
2G
1J
60
61
24
25
11D
10G
DQb
DQb
DQd
DQd
1K
1L
62
63
26
10F
DQb
DQd
1M
64
27
28
10E
10D
DQb
DQb
DQd
DQd
2J
2K
65
66
29
11C
DQb
DQd
2L
67
30
31
11A
10A
NC
A
DQd
DQd
2M
1N
68
69
32
33
10B
9A
A
A
A
A
3P
3R
70
71
34
9B
A
A
4R
72
35
36
8A
8B
ADV
OE
A
A1
4P
6P
73
74
37
7A
CKE
A0
6R
75
38
7B
WE
1
1R
LBO
CLK
6B
39
2
6N
NC
NC
11B
40
3
4
11P
8P
NC
A
NC
CS2
1A
6A
41
42
5
6
8R
9R
A
A
BWa
NC
5B
5A
43
44
7
9P
A
BWb
4A
45
8
9
10P
10R
A
A
NC
CS2
4B
3B
46
47
10
11R
A
CS1
3A
48
11
12
11H
11N
ZZ
NC
A
A
2A
2B
49
50
13
14
11M
11L
NC
NC
NC
NC
1B
1C
51
52
15
11K
NC
NC
1D
53
16
17
11J
10M
NC
DQa
NC
NC
1E
1F
54
55
18
10L
DQa
NC
1G
56
19
20
10K
10J
DQa
DQa
DQb
DQb
2D
2E
57
58
21
11G
DQa
DQb
2F
59
22
23
11F
11E
DQa
DQa
DQb
DQb
2G
1J
60
61
24
25
11D
11C
DQa
DQa
DQb
DQb
1K
1L
62
63
26
10F
NC
DQb
1M
64
27
28
10E
10D
NC
NC
DQb
NC
1N
2K
65
66
29
10G
NC
NC
2L
67
30
31
11A
10A
A
A
NC
NC
2M
2J
68
69
32
33
10B
9A
A
A
A
A
3P
3R
70
71
34
9B
A
A
4R
72
35
36
8A
8B
ADV
OE
A
A1
4P
6P
73
74
37
7A
CKE
A0
6R
75
38
7B
WE
NOTE, NC ; Don
′
t Care
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7M161825A-QC(I)65 | 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7M161825A-QC(I)75 | 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7M163625A-QC(I)75 | 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7N161801A-Q(F)C(I)13 | 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7N161801A-Q(F)C(I)16 | 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7M163625A-QCI65/75 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| K7M163625A-QI65 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM |
| K7M163625A-QI75 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM |
| K7M163625M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through NtRAM-TM |
| K7M163635B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through NtRAM |
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