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參數(shù)資料
| 型號： | K8D1716UTC-FC08 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 1,600位（200萬x8/1M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 33/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 684K |
| 代理商： | K8D1716UTC-FC08 |
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FLASH MEMORY
K8D1716UTC / K8D1716UBC
Revision 1.0
December 2004
33
SWITCHING WAVEFORMS
Parameter
Symbol
-7
-8
-9
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Chip Enable Access Time
t
CE
-
70
-
80
-
90
ns
CE to BYTE Switching Low or High
t
ELFL
/t
ELFH
-
5
-
5
-
5
ns
BYTE Switching Low to Output HIGH-Z
t
FLQZ
-
25
-
25
-
30
ns
BYTE Switching High to Output Active
t
FHQV
-
25
-
25
-
35
ns
OE
t
FLQZ
CE
DQ0-DQ7
BYTE
WE
BYTE Timing Diagram for Write Operation
The falling edge of the last WE signal
CE
BYTE
t
HOLD
(t
AH
)
DQ15/A-1
t
ELFL
Address Input (A-1)
t
SET
(t
AS
)
Word to Byte Timing Diagram for Read Operation
Byte to Word Timing Diagram for Read Operation
Data Output
(DQ0-DQ7)
DQ8-DQ14
Data Output
(DQ8-DQ14)
Data Output
(DQ15)
OE
t
FHQV
CE
DQ0-DQ7
BYTE
DQ15/A-1
t
ELFH
Data Output
(DQ15)
DQ8-DQ14
Address Input
(A-1)
Data Output
(DQ8-DQ14)
t
CE
t
CE
Data Output
(DQ0-DQ7)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8D1716UTC-FC09 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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| K8D1716UTC-FI09 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-PC07 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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