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參數(shù)資料
| 型號： | K8D1716UTC-TC08 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 1,600位（200萬x8/1M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 4/41頁 |
| 文件大小： | 684K |
| 代理商： | K8D1716UTC-TC08 |
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FLASH MEMORY
K8D1716UTC / K8D1716UBC
Revision 1.0
December 2004
4
ORDERING INFORMATION
K 8 D 17 1 6 U T C - Y I 0 7
Samsung
NOR Flash Memory
Device Type
Dual Bank Boot Block
Operating Temperature Range
C = Commercial Temp. (0
°
C to 70
°
C)
I = Industrial Temp. (-40
°
C to 85
°
C)
Block Architecture
T = Top Boot Block
B = Bottom Boot Block
Version
ion
Access Time
07 = 70 ns
08 = 80 ns
09 = 90 ns
Operating Voltage Range
2.7V to 3.6V
Organization
x16
Table 1. PRODUCT LINE-UP
Part No.
- 7
-8
-9
Vcc
2.7V~3.6V
Max. Address Access Time (ns)
70ns
80ns
90ns
Max. CE Access Time (ns)
70ns
80ns
90ns
Max. OE Access Time (ns)
25ns
25ns
35ns
Table 2. K8D1716U DEVICE BANK DIVISIONS
Device
Part Number
Bank 1
Bank 2
Mbit
Block Sizes
Mbit
Block Sizes
K8D1716U
8 Mbit
Eight 8 Kbyte/4 Kword,
fifteen 64 Kbyte/32 Kword
8 Mbit
Sixteen
64 Kbyte/32 Kword
Bank Division
17 = 8Mbits + 8Mbits
Package
P = 48TSOP1(Lead-Free) Y = 48 TSOP1
D : FBGA(Lead Free) F : FBGA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| K8D6316UBM-DC07 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D6316UBM-YC07 | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8D1716UTC-TC09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-TI07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-TI08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-TI09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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