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參數資料
| 型號： | K8D1716UTC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 1,600位（200萬x8/1M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁數： | 32/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 684K |
| 代理商： | K8D1716UTC |
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FLASH MEMORY
K8D1716UTC / K8D1716UBC
Revision 1.0
December 2004
32
Alternate CE Controlled Program Operations
SWITCHING WAVEFORMS
Notes :
1. DQ7 is the output of the complement of the data written to the device.
2. DOUT is the output of the data written to the device.
3. PA : Program Address, PD : Program Data
4. The illustration shows the last two cycles of the program command sequence.
OE
Address
WE
DATA
CE
t
AH
t
AS
t
DS
t
DH
t
CP
t
OES
A0H
555H
PA
PA
Status
DOUT
Data Polling
t
CPH
t
WS
t
PGM
RY/BY
t
BUSY
t
RB
PD
t
WC
Parameter
Symbol
-7
-8
-9
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Write Cycle Time
t
WC
70
-
80
-
90
-
ns
Address Setup Time
t
AS
0
-
0
-
0
-
ns
Address Hold Time
t
AH
45
-
45
-
45
-
ns
Data Setup Time
t
DS
35
-
35
-
45
-
ns
Data Hold Time
t
DH
0
-
0
-
0
-
ns
OE Setup Time
t
OES
0
-
0
-
0
-
ns
WE Setup Time
t
WS
0
-
0
-
0
-
ns
WE Hold Time
t
WH
0
-
0
-
0
-
ns
CE Pulse Width
t
CP
35
-
35
-
45
-
ns
CE Pulse Width High
t
CPH
25
-
25
-
30
-
ns
Programming Operation
Word
t
PGM
14(typ.)
14(typ.)
14(typ.)
μ
s
Byte
9(typ.)
9(typ.)
9(typ.)
μ
s
Accelerated Programming
Operation
Word
t
ACCPGM
9(typ.)
9(typ.)
9(typ.)
μ
s
Byte
7(typ.)
7(typ.)
7(typ.)
μ
s
Program/Erase Valide to RY/BY Delay
t
BUSY
90
-
90
-
90
-
ns
Recovery Time from RY/BY
t
RB
0
-
0
-
0
-
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8D1716UTC-DC07 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-DC08 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-DC09 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-DI07 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-DI08 | 16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K8D1716UTC-DC07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-DC08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-DC09 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-DI07 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| K8D1716UTC-DI08 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M Bit (2M x8/1M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
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