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參數(shù)資料
| 型號： | K8S1215EZC-SC1C0 |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 28/83頁 |
| 文件大?。?/td> | 1511K |
| 代理商： | K8S1215EZC-SC1C0 |
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Figure 10. Asynchronous Mode Read (tCE)
- 34 -
K8S1215E(T/B/Z)C
datasheet NOR FLASH MEMORY
Rev. 1.1
19.2 Asynchronous Read
NOTE: Not 100% tested.
SWITCHING WAVEFORMS
Asynchronous Mode Read (tCE)
NOTE :
1) VA=Valid Read Address, RD=Read Data.
Asynchronous mode may not support read following four sequential invalid read condition within 200ns.
2) CLK "HIGH" should be prohibited in asynchronous read mode start (From CE LOW).
Parameter
Symbol
All speed
Unit
Min
Max
Access Time from CE Low
tCE
-
100
ns
Asynchronous Access Time
tAA
-
100
ns
AVD Low time
tAVDP
12
-
ns
Address Setup Time to rising Edge of AVD
tAAVDS
5-
ns
Address Hold Time from Rising Edge of AVD
tAAVDH
2-
ns
Output Enable to Output Valid
tOE
-15
ns
Output Enable
Hold Time
Read
tOEH
0-
ns
Toggle and Data Polling
10
-
ns
Output Disable to High Z*
tOEZ
-9
ns
tOE
VA
Valid RD
tCE
tOEH
tOEZ
tAAVDH
tAVDP
tAAVDS
CE
OE
WE
A/DQ0:
AVD
A/DQ15
A16-A24
Hi-Z
RDY
CLK
VIL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K8S5515ETC-SC1E0 | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA44 |
| K9E2G08U0M-YIB00 | 256M X 8 FLASH 2.7V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| KA-59-281 | TNC CONNECTOR, PLUG |
| KA-91-02 | RF STRAIGHT ADAPTER |
| KA-91-16 | RF TEE ADAPTER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8S2815ETE | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb E-die NOR FLASH |
| K8S5615ETC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb C-die NOR Flash |
| K8S6415EBB-DC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-DE7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-FC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
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