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參數(shù)資料
| 型號： | K9F1216D0A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 6400 × 8位，32 × 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 46/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 748K |
| 代理商： | K9F1216D0A |
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FLASH MEMORY
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K9F1208D0A
K9F1208U0A
K9F1216D0A
K9F1216U0A
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 1.8V(2.65V device), 2V(3.3V device). WP pin provides hardware protection and
is recommended to be kept at V
IL
during power-up and power-down. A recovery time of minimum 10
μ
s is required before internal cir-
cuit gets ready for any command sequences as shown in Figure 24. The two step command sequence for program/erase provides
additional software protection.
Figure 24. AC Waveforms for Power Transition
V
CC
WP
High
≈
≈
WE
Data Protection & Power-up sequence
3.3V device : ~ 2.5V
3.3V device : ~ 2.5V
10
μ
s
≈
≈
2.65V device : ~ 2.0V
2.65V device : ~ 2.0V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1216D0A-P | 64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1216D0A-P | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1216D0A-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1216U0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F1216U0A-Y | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit , 32M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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