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參數(shù)資料
| 型號： | K9F5608U0B-YCB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 32M的× 8位，16米x 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 21/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | K9F5608U0B-YCB0 |
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FLASH MEMORY
21
K9F5616U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0B-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
* Input Data Latch Cycle
CE
CLE
WE
DIN 0
DIN 1
DIN n
ALE
t
ALS
t
CLH
t
WC
t
CH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
WP
t
WH
t
WP
t
WP
* Serial access Cycle after Read
(CLE=L, WE=H, ALE=L)
RE
CE
R/B
Dout
Dout
Dout
t
RC
t
REA
t
RR
t
OH
t
REA
t
REH
t
REA
t
OH
t
RHZ*
≈
≈
≈
≈
≈
≈
≈
NOTES :
Transition is measured
±
200mV from steady state voltage with load.
This parameter is sampled and not 100% tested.
I/Ox
I/Ox
t
RHZ*
t
CHZ*
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F5608U0B-DCB0 | 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608U0B-DIB0 | 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608U0B-FCB0 | 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608U0B-FIB0 | 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608U0B-HCB0 | 32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F5608U0B-YIB0 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:32M X 8 FLASH 2.7V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| K9F5608U0C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608U0C-D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608U0C-DCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608U0C-DIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
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