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參數(shù)資料
| 型號： | K9F5608U0C-DCB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| 中文描述： | 512Mb/256Mb 1.8 NAND閃存勘誤表 |
| 文件頁數(shù)： | 29/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 655K |
| 代理商： | K9F5608U0C-DCB0 |
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K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FLASH MEMORY
28
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
Figure 9-1. Sequential Row Read2 Operation
(only for K9F5608U0C-Y,P or K9F5608U0C-V,F)
50h
A
0
~ A
3
& A
9
~ A
24
I/Ox
R/B
Start Add.(3Cycle)
Data Output
Data Output
Data Output
2nd
Nth
(16Byte)
(16Byte)
Data Field
Spare Field
1st
Block
Nth
(A
4
~ A
7
:
Don
t Care)
1st
t
R
t
R
t
R
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F5608U0C-DIB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608U0C-FCB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608U0C-FIB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608U0C-HCB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608U0C-HIB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F5608U0C-DIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
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| K9F5608U0C-FCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608U0C-FIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608U0C-H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
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