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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9F5616Q0C-DIB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| 中文描述： | 512Mb/256Mb 1.8 NAND閃存勘誤表 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/39頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 655K |
| 代理商： | K9F5616Q0C-DIB0 |
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K9F5616U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FLASH MEMORY
24
K9F5608U0C-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0C-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0C-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
BLOCK ERASE OPERATION
(ERASE ONE BLOCK)
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
60h
Auto Block Erase
Setup Command
Erase Command
Read Status
Command
I/O
0
=1 Error in Erase
DOh
70h
I/O 0
Busy
t
WB
t
BERS
I/O
0
=0 Successful Erase
Page(Row)
Address
t
WC
≈
COPY-BACK PROGRAM OPERATION
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
00h
70h
I/O
0
8Ah
Program
Command
Column
Address
Page(Row)
Address
Read Status
Command
I/O
0
=0 Successful Program
I/O
0
=1 Error in Program
t
PROG
t
WB
t
WC
≈
Busy
A
0
~A
7
A
17
~A
24
A
9
~A
16
Column
Address
Page(Row)
Address
Busy
≈
t
WB
t
R
I/Ox
I/Ox
Col. Add
Row Add1
Row Add2
A9~A16
A17~A24
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F5616Q0C-HCB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616Q0C-HIB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616U0C-DCB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616U0C-DIB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616U0C-HCB0 | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F5616Q0C-H | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616Q0C-HCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616Q0C-HIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5616U0B-DCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5616U0B-DIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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