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參數(shù)資料
| 型號： | K9K2G08Q0M-YIB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 256M × 8位/ 128M的× 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 27/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 734K |
| 代理商： | K9K2G08Q0M-YIB0 |
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FLASH MEMORY
27
K9K2G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
BLOCK ERASE OPERATION
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
60h
Erase Command
Read Status
Command
I/O
0
=1 Error in Erase
D0h
70h
I/O 0
Busy
t
WB
t
BERS
I/O
0
=0 Successful Erase
Row Address
t
WC
≈
Auto Block Erase
Setup Command
I/Ox
Row Add1
Row Add2 Row Add3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K2G08U0M-FCB0 | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08U0M-FIB0 | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08U0M-PCB0 | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08U0M-PIB0 | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08U0M-VCB0 | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9K2G08R0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9K2G08R0A-JIB0000 | 制造商:Samsung 功能描述:2GB SLC DIE STACK X8 FBGA - Trays |
| K9K2G08U0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08U0A-F | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9K2G08U0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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