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參數(shù)資料
| 型號： | K9K2G08U0M-YIB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 256M × 8位/ 128M的× 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 23/38頁 |
| 文件大小： | 734K |
| 代理商： | K9K2G08U0M-YIB0 |
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FLASH MEMORY
23
K9K2G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
X8 device : m = 2112byte
X16 device : m = 1056word
Page Program Operation
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
80h
70h
I/O
0
Din
N
1 up to m Byte
Serial Input
Din
M
10h
SerialData
Input Command
Column Address
Row Address
Program
Command
Read Status
Command
I/O
0
=0 Successful Program
I/O
0
=1 Error in Program
t
PROG
t
WB
t
WC
t
WC
t
WC
≈
≈
≈
I/Ox
Co.l Add1
Col. Add2
Row Add1
Row Add2 Row Add3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K2G16Q0M-PCB0 | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G16Q0M-P | ULTRA2 LVD SCSI INTERNAL CBL 3 |
| K9K2G16Q0M-Y | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G16U0M | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9W4G08U1M | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9K2G08U1A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08X0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9K2G08X0A-J | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9K2G16Q0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G16Q0M-P | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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