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參數(shù)資料
| 型號： | K9K2G16U0M-YCB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 256M × 8位/ 128M的× 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 18/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 734K |
| 代理商： | K9K2G16U0M-YCB0 |
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FLASH MEMORY
18
K9K2G08Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16Q0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G16U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9K2G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9K2G16X0M : I/O
8
~
15 must be set to "0"
K9K2G16X0M : I/O
8
~
15 must be set to "0"
Command Latch Cycle
CE
WE
CLE
ALE
Command
Address Latch Cycle
t
CLS
t
CS
t
CLH
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
NOTE
Device
I/O
DATA
ADDRESS
I/Ox
Data In/Out
Col. Add1
Col. Add2
Row Add1
Row Add2
Row Add3
K9K2G08X0M(X8)
I/O 0 ~ I/O 7
~2112byte
A0~A7
A8~A11
A12~A19
A20~A27
A28
K9K2G16X0M(X16)
I/O 0 ~ I/O 15
~1056word
A0~A7
A8~A10
A11~A18
A19~A26
A27
I/Ox
CE
WE
CLE
ALE
Col. Add1
t
CLS
t
CS
t
WC
t
WP
t
ALS
t
DS
t
DH
t
ALH
t
ALS
t
WH
t
WC
t
WP
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DS
t
DH
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ALH
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ALS
t
WH
t
WC
t
WP
t
DS
t
DH
t
ALH
t
ALS
t
WH
t
DS
t
DH
t
WP
I/Ox
Col. Add2
Row Add1
Row Add2
t
WC
t
WH
t
ALH
t
ALS
t
DS
t
DH
Row Add3
t
ALH
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K2G16U0M-YIB0 | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08Q0M-YCB0 | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G16Q0M-YCB0 | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08U0M-YCB0 | 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K2G08Q0M-P | DSUB 25 M PCR/A G |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9K2G16U0M-YIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G08Q0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G08U0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9K4G08U0M-PIB0T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K9K4G08U1M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit / 512M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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