參數(shù)資料
型號(hào)： K9W4G08U1M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
中文描述： 256M × 8位/ 128M的× 16位NAND閃存
文件頁數(shù)： 29/40頁
文件大小： 641K
代理商： K9W4G08U1M
FLASH MEMORY
29
K9W4G08U1M
K9K2G08U0M
K9W4G16U1M
K9K2G16Q0M
K9K2G16U0M
K9K2G08Q0M
BLOCK ERASE OPERATION
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
60h
Erase Command
Read Status
Command
I/O
0
=1 Error in Erase
D0h
70h
I/O 0
Busy
t
WB
t
BERS
I/O
0
=0 Successful Erase
Row Address
t
WC
≈
Auto Block Erase
Setup Command
I/Ox
Row Add1 Row Add2 Row Add3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9W4G16U1M 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K2G08Q0M ER 19C 19#12 SKT PLUG
K9K2G16Q0M 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9K4G08U1M 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit / 512M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9S1208V0M-SSB0 64M x 8 Bit SmartMedia Card
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K9W4G08U1M-YCB000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K9W4G08U1M-YCB0000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2Gbit 256M x 8bit 25us 48-Pin TSOP-I Tray
K9W4G16U1M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9W8G08U1M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9W8G08U1M-PCB000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
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