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參數資料
| 型號： | KFG1216D2A-DEB5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數： | 35/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216D2A-DEB5 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
35
This Read register describes the number of each Buffer.
F005h, default = 0201h
15
14
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10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
DataBufAmount
BootBufAmount
Number of Buffers Information
Register Information
Description
DataBufAmount
The number of data buffers = 2 (2
N
, N=1)
BootBufAmount
The number of boot buffers = 1 (2
N
, N=0)
2.8.8 Technology Register F006h (R)
This Read register describes the internal NAND array technology.
F006h, default = 0000h
15
14
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9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Tech
Technology Information
Technology
Register Setting
NAND SLC
0000h
NAND MLC
0001h
Reserved
0002h ~ FFFFh
2.8.7 Number of Buffers Register F005h (R)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216D2A-DEB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-DED5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-DED6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-DIB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-DIB6 | FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KFG1216D2A-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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