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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1216D2A-FID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 7/114頁 |
| 文件大小： | 1382K |
| 代理商： | KFG1216D2A-FID6 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
7
Device Architecture
Design Technology:
Supply Voltage:
Host Interface:
5KB Internal BufferRAM:
SLC NAND Array:
Device Performance
Host Interface Type:
- Up to 54MHz clock frequency
- Linear Burst 4-, 8-, 16, 32-words with wrap around
- Continuous 1K word Sequential Burst
Asynchronous Random Read
- 76ns access time
Asynchronous Random Write
Latency 3(up to 40MHz), 4, 5, 6, and 7
Up to 4 sectors using Sector Count Register
Cold/Warm/Hot/NAND Flash Resets
up to 64 blocks
Typical Power,
Programmable Burst Read Latency
Multiple Sector Read:
Multiple Reset Modes:
Multi Block Erase:
Low Power Dissipation:
- Standby current : 10uA@1.8Vdevice,
35uA@2.65V/3.3V device
- Synchronous Burst Read current : 12mA@1.8Vdevice
22mA@2.65V/3.3V device
- Load current : 30mA@all device
- Program current : 25mA@1.8v device
28mA@2.65V/3.3V device
- Erase current : 20mA@1.8V device
23mA@2.65V/3.3V device
- Multi Block Erase current : 20mA@1.8V device
23mA@2.65V/3.3V device
System Hardware
Voltage detector generating internal reset signal from Vcc
Hardware reset input (/RP)
Data Protection Modes
User-controlled One Time Programmable(OTP) area
Internal 2bit EDC / 1bit ECC
Internal Bootloader supports Booting Solution in system
Handshaking Feature
Detailed chip information
Packaging
90nm
1.8V (1.7V ~ 1.95V), 2.65V (2.4 ~ 2.9V), 3.3V (2.7 ~3.6V)
16 bit
1KB BootRAM, 4KB DataRAM
(2K+64)B Page Size, (128K+4K)B Block Size
Synchronous Burst Read
- Write Protection for BootRAM
- Write Protection for NAND Flash Array
- Write Protection during power-up
- Write Protection during power-down
- INT pin indicates Ready / Busy
- Polling the interrupt register status bit
- by ID register
63ball, 9.5mm x 12mm x max 1.0mmt , 0.8mm ball pitch FBGA
1.5 Product Features
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-DEB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DEB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DED5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DED6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DIB5 | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216D2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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