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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1216D2M-DEB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 74/93頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFG1216D2M-DEB |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
74
~50k ohm
INT
Internal Vcc
Rp
INT pol = ’Low’
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tf[us]
@ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.067
tr[ns]
0.586
1.02
1.356
6.49
6.49
6.49
6.49
1.75
0.18
0.09
40K
50K
1.623
1.84
6.49
6.49
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
4.05
0.000
≈
≈
≈
≈
≈
≈
Busy State
Ready
VOH
tf
tr
VOL
Vss
Vcc
Technical Notes
(Continued)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216D2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DIB | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216D2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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