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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1216Q2A-DEB5 |
| 廠(chǎng)商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 92/114頁(yè) |
| 文件大小： | 1382K |
| 代理商： | KFG1216Q2A-DEB5 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
92
5.1 AC Test Conditions
Parameter
Value
Input Pulse Levels
0V to V
CC
Input Rise and Fall Times
CLK
3ns
other inputs
5ns
Input and Output Timing Levels
V
CC
/2
Output Load
C
L
= 30pF
0V
V
CC
V
CC
/2
V
CC
/2
Input Pulse and Test Point
Input & Output
Test Point
Output Load
Device
Under
Test
* C
L
= 30pF including scope
and Jig capacitance
5.2 Device Capacitance
CAPACITANCE
(T
A
= 25
°
C, V
CC
= 1.8V/2.65V/3.3V, f = 1.0MHz)
NOTES:
1. The
device
may include invalid blocks when first shipped. Additional invalid blocks may develop while being used. The number of valid blocks is pre-
sented with both cases of invalid blocks considered. Invalid blocks are defined as blocks that contain one or more bad bits
.
Do not erase or program
factory-marked bad blocks.
2. The 1st block, which is placed on 00h block address, is fully guaranteed to be a valid block.
Parameter
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Valid Block Number
N
VB
502
-
512
Blocks
NOTE
: Capacitance is periodically sampled and not 100% tested.
Item
Symbol
Test Condition
Unit
Min
Max
Input Capacitance
C
IN1
V
IN
=0V
-
10
pF
Control Pin Capacitance
C
IN2
V
IN
=0V
-
10
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
=0V
-
10
pF
INT Capacitance
C
INT
V
OUT
=0V
-
15
pF
5.3 Valid Block Characteristics
5.0 AC CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-DEB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DED5 | FLASH MEMORY |
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| KFG1216Q2A-DIB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DIB6 | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KFG1216Q2A-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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