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參數資料
| 型號： | KFG1216Q2A-DEB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數： | 36/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216Q2A-DEB6 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
36
This Read/Write register describes the start address of the NAND Flash block address which will be loaded,
programmed, or erased.
F100h, default = 0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved(00000)
FBA
Device
Number of Block
FBA
512Mb
512
FBA[8:0]
Start Address1 Information
Register Information
Description
FBA
NAND Flash Block Address
2.8.10 Start Address2 Register F101h (R/W)
This register is reserved for future use.
2.8.9 Start Address1 Register F100h (R/W)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-DED5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DED6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DIB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DIB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DID5 | FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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