- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373124 > KFG1216Q2A-FEB5 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) FLASH MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1216Q2A-FEB5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 49/114頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216Q2A-FEB5 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)當(dāng)前第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)
OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
49
This Read/Write register shows the NAND Flash block address in the Write Protection mode. Setting this register precedes a 'Lock
Block' command, 'Unlock Block' command, or ’Lock-Tight' Command.
F24Ch, default = 0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved(0000000)
SBA
Device
Number of Block
SBA
512Mb
512
[8:0]
SBA Information[9:0]
Item
Definition
Description
SBA
Start Block Address
Precedes Lock Block, Unlock Block, or Lock-Tight commands
2.8.23 Start Block Address Register F24Ch (R/W)
Erase Interrupt (EI)
This is the Erase interrupt bit.
EI Interrupt [5]
Status
Conditions
Default State
Valid
State
Interrupt
Function
Cold
Warm/hot
0
0
0
off
sets itself to ’1’
At the completion of an Erase Operation
(0094h, 0095h, 0030h)
0
→
1
Pending
clears to ’0’
’0’ is written to this bit, or
Cold/Warm/Hot reset is being performed
1
→
0
off
Reset Interrupt (RSTI)
This is the Reset interrupt bit.
RSTI Interrupt [4]
Status
Conditions
Default State
Valid
State
Interrupt
Function
Cold
Warm/hot
0
1
0
off
sets itself to ’1’
At the completion of an Reset Operation
(00B0h, 00F0h, 00F3h or
warm reset is released)
0
→
1
Pending
clears to ’0’
’0’ is written to this bit
1
→
0
off
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-FEB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FED5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DED5 | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2A-FEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2A-FIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。