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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1216Q2M-DEB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 53/93頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFG1216Q2M-DEB |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
53
Addressing for program operation
Within a block, the pages must be programmed consecutively from the LSB (least significant bit) page of the block to MSB (most sig-
nificant bit) pages of the block. Random page address programming is prohibited.
From the LSB page to MSB page
DATA IN: Data (1)
Data (64)
(1)
(2)
(3)
(32)
(64)
Data register
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Ex.) Random page program (Prohibition)
DATA IN: Data (1)
Data (64)
(2)
(32)
(3)
(1)
(64)
Data register
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:
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1216Q2M-DEB | FLASH MEMORY |
| KFH1G16Q2M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16Q2M-DEB6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1216D2M-DEB | FLASH MEMORY |
| KFH1216D2M-DED | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216Q2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216Q2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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