參數(shù)資料
型號(hào)： KFG1216U2A-DED6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁數(shù)： 38/114頁
文件大?。?/td> 1382K
代理商： KFG1216U2A-DED6
OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
38
This register is reserved for future use.
2.8.14 Start Address6 Register F105h
This register is reserved for future use.
2.8.15 Start Address7 Register F106h
This register is reserved for future use.
2.8.16 Start Address8 Register F107h (R/W)
This Read/Write register describes the NAND Flash start page address in a block for a page load, copy back program, or program
operation and the NAND Flash start sector address in a page for a load, copy back program, or program operation.
F107h, default = 0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved (00000000)
FPA
FSA
Start Address8 Information
Item
Description
Default Value
Range
FPA
NAND Flash Page Address
000000
000000 ~ 111111,
6 bits for 64 pages
FSA
NAND Flash Sector Address
00
00 ~ 11,
2 bits for 4 sectors
2.8.13 Start Address5 Register F104h
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFG1216U2A-DIB5 FLASH MEMORY
KFG1216U2A-DIB6 FLASH MEMORY
KFG1216U2A-DID5 FLASH MEMORY
KFG1216U2A-DID6 FLASH MEMORY
KFG1216U2A-FEB5 FLASH MEMORY
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參數(shù)描述
KFG1216U2A-DIB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1216U2A-DIB5(6)000 制造商:Samsung 功能描述:KFG1216U2A-DIB5(6)000 - Trays
KFG1216U2A-DIB5000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:FLASH PARALLEL 3.3V 512MBIT 32MX16 76NS 63FBGA - Trays
KFG1216U2A-DIB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1216U2A-DIB6000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512 DE-MUXED SLC W/ X16 FBGA - Trays
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