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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216U2A-FED5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 105/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216U2A-FED5 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
105
6.13 Hot Reset Timing
NOTE:
1. Internal reset operation means that the device initializes internal registers and makes output signals go to default status and bufferRAM data are kept
unchanged after Warm/Hot reset operations.
2. Reset command : Command based reset or Register based reset
3. BP(Boot Partition): BootRAM area [0000h~01FFh, 8000h~800Fh]
4. 00F0h for BP, and 00F3h for F220h
AVD
BP(Note 3)
or F220h
INT
bit
A0~A15
WE
CE
RDY
Operation or Idle
OneNAND reset
Idle
OneNAND
Operation
High-Z
DQ0~DQ15
00F0h
or 00F3h
4)
OE
t
Ready
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216U2A-FED6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FIB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FIB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FID5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FID6 | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216U2A-FED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2A-FID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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